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研發願景
發展高效率太陽能電池以及高功率850nm RCLED,在國防工業上能成為新能源與增加情報指揮系統戰力。

 
研發目標
1. 850 nm紅外線共振腔發光二極體之傳輸速度可達500MHz以上且光輸出功率可達10 mW@20 mA
2. III-V族化合物半導體太陽能電池之光電流轉換效率可達25%以上。

 
研發策略
1.禧通科技研發各種高性能磊晶片
2.結合場內現有之製程設備以及配合下游封裝廠商共同開發
3.與國內IC業合作開發具高速之傳輸模組與高效能之太陽能電池

 
研發佈局
研發分組 95~96 96~98 98~99
850nm
RCLED
元件設計最佳化 符合元件設計最佳化 10mW@20mA
Solar Cell 元件設計最佳化 Doping level higher than
(10^22)m^-3
光電流轉換效率可達 25% 以上

 
 
 
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